10月17日，据科技部消息，由无锡中微晶园电子有限公司牵头承担的国家重点研发计划“重大科学仪器设备开发”重点专项“高灵敏硅基雪崩探测器研发及其产业化技术研究”项目经过近两年的努力，突破了低抖动、大光敏面硅单光子探测芯片设计、界面电场调控的离子注入和氧化层制备、低噪声芯片封装等关键技术，开发出硅单光子探测器样机。
近日，该项目顺利通过了科技部高技术中心组织的中期检查。
无锡中微晶园电子有限公司，于 2004 年 3 月成立，是一家专业从事集成电路园片加工的高新技术企业。公司经营一条五英寸标准 cmos 工艺加工线，可以为客户提供 0．5μm、0．6μm、0．8μm、1．0μm、1．2μm、1．5μm、2μm、3μm 标准 cmos 等多种工艺技术的加工服务，是一条多种工艺、多代技术兼容的集成电路加工线，通过了 iso9001－2000 质量体系认证，公司的主要产品应用于手机、智能手表、智能家居等领域。
硅单光子探测器具有超高灵敏度，是 300－1100nm 波段超高灵敏探测不可替代的关键芯片，且器件性能稳定可靠、易形成面阵，是实现远距离精密测量、激光雷达等重大科学仪器的关键核心部件之一。
据透露，该项目下一步将加快产品化开发，提高产品技术成熟度，加快产品应用示范及推广。

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